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SI500系列平面天线ICP镀膜/刻蚀系统
(SI500 ICP 刻蚀机,SI500PPD PECVD 镀膜系统, SI 500 D ICPECVD 镀膜系统)
SI500系列特点是平面耦合天线结构等离子体，适用于常规的RIE到高密度等离子工艺过程。基片架可以带有氦气冷却，系统配有大抽速真空系统。所有操作自动控制，系统配有标准的系统控制软件。
SI500系列特别适合作为研发及中小批量生产工具，是研究院所及大学的理想选择。
系统的核心部件是独具特色的平面天线等离子体耦合源PTSA200( Planar Triple Spiral Antenna)，驱动电源13.56MHz，产生的等离子体密度可以达到5x1011离子/cm3(氩等离子体)。PTSA200配有自动耦合匹配网络。
系统选择不同配件，可使基片架温度控制在-30oC到80oC。基片尺寸4” ，6”。
选择氦气冷却方式时，基片温度可以更低，等离子密度可进一步提高而不增加等离子电势。基片也可以配置13.56MHz的射频偏压。
分子泵的真空系统，自动控制的抽气截流阀，MFC充气系统。
适应4英寸基片的真空进片室(Loadlock)，真空室内装的气动取片/放片机械手保证真空洁净。系统可以洁净室式隔离安装.
SENTECK标准的控制软件，windows 兼容，可网络兼容。
应用范围：见附后说明
SI500有以下主要部分组成，基本技术规格如下：
反应室：立式结构铝合金真空室，内直径ф348mm
顶法兰安装有PTSA200等离子体源
侧面装有矩形阀门，开口尺寸为：222x32mm，其连接真空进片室
DN63,DN40的观察窗
DN16电容真空规接口
DN200mm的真空系统接口
基片架：标准4英寸基片架（6英寸可选）
装卡方式：侧面（6英寸基片采用静电卡盘ESC）
基片电极尺寸：240mm
电极温度：-30oC到80oC，带冷却系统
冷却氦气压力：500 – 1200Pa
系统对地射频绝缘
真空系统：分子泵抽速1000L/S，防腐蚀表面保护
前级泵抽速：65M3/hr，防腐蚀结构
DN200自动控制节流阀
电容真空规，量程10-0.01Pa
冷阴极真空计
极限真空：〈10-6mbar
MFC充气系统：4路质量流量计
PTSA200ICP等离子体源：300mm直径的陶瓷馈入窗口，也可选择蓝宝石馈入窗，实现等离子体诊断及终了监测。
放电压力范围：0.2 – 10Pa
等离子体功率：100 – 1200W
等离子体密度：5x1011离子/cm3(氩等离子体)
不均匀性：〈5%（6英寸基片）
电子温度：不大于2eV
最低离子能量：10eV
水冷结构
射频源：偏压射频源：13.56MHz,600W，空气冷却，自动匹配
ICP激励源：13.56MHz,1200W
真空进片室：矩形阀门：222x32mm
铝合金材料
干式预抽真空泵，抽速12M3/H
气动传递机械手
本底真空：10Pa
操作速度：进片2分20秒（抽真空过程在内）
取片3分钟（包括充气时间）
控制系统：标准19英寸机柜，装有：计算机，远程控制器，射频源，节流阀控制器，真空计，电源，操作开关，紧急开关等
外形尺寸：反应装置：655x 1704x 1400mm（宽x 深x 高）
控制柜：600x 800x 1750mm
电气终端箱：400x 210x 500mm
泵组：840 x 630x 1100mm
动力要求：电源：3x400V+/-5%,60A,50Hz
压缩空气：5bar(除油除水)
冷却水：4 -6 bar, 2l/min, 15-22oC
氮气：3 -4 bar
重量：700公斤
备件：陶瓷式内衬
获得更高密度等离子体的磁性内衬
蓝宝石馈入窗
磁悬浮分子泵及其前级泵
进片室分子泵
6英寸基片电极及静电卡盘
光纤基片温度探测器
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Applications -
PTSA ICP Plasma Deposition System
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Silicon nitride for lift-off
- ICPECVD process
- Td <100癈
- No reflow of the resist edge
- Conformal cover of the resist edge
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Courtesy Heinrich Hertz Institut Berlin, Germany,
MIM capacitor on InP
- ICPECVD SiN
- Td <100癈
- Lift-off structuring
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List of SENTECH's Plasma Application Notes
Please contact us if you are interested in application notes.
Silicon microelectronics
- Via holes in SiO2 on Si
- SiO2 Spacer etching
- Al-RIE
- Capacitor trench etching in silicon
- Au sputtering in the RIE system
- AlCu/TiW interconnect RIE
- Poly-Si RIE
III-V semiconductors
- Mesa etch process for GaAs
- Mesa etch process for AlGaAs
- Selective etch process for GaAs/AlGaAs
- Etch process for GaAs/AlGaAs VCSEL
- Highly anisotropic etch process for InP (CH4 chemistry)
- RIE process for GaN
- High rate etch prozess for GaAs/AlGaAs VCSEL
- GaAs via holes
Silicon micromachining
- ICP cryo etch process
- Deep anisotropic etching in silicon
- Deep anisotropic trench etching
- Anisotropic etching in photoresist
- Anisotropic silicon etching in microfluidics
- Photoresist DESIRE process
Miscellaneous
- Silicon carbide - RIE etch
- Silicon carbide - ICP etch
- Deep anisotropic etching in silica
- Cr-mask RIE etching
- Submicron etche - RIE
Deposition
- Low stress PECVD-SixNy:H
- High quality ICPECVD-SixNy:H deposited at 80oC-130oC
- High quality ICPECVD-SixNy:H deposited at 80oC-130oC for lift-off processes
- SiN passivation
- SiON - ICPECVD
- SiO2 - ICPECVD
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Applications - PTSA ICP Plasma Etcher
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GaAs via holes
- Resist mask
- Smooth side wall
- 75o side wall angle
- Cl2 chemistry
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Courtesy IAP / Friedrich- Schiller-Univerity Jena, Germany,
Silicon microlens array
- Smoth surface
- Highly anisotropic process
- 350 - 500 nm/min etch rate
- SF6 chemistry
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Courtesy IAP / Friedrich- Schiller-Univerity Jena, Germany,
Silica microlens array
- Smoth surface
- Highly anisotropic process
- 150 nm/min etch rate
- CF4 chemistry
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List of SENTECH's Plasma Application Notes
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Silicon microelectronics
- Via holes in SiO2 on Si
- SiO2 Spacer etching
- Al-RIE
- Capacitor trench etching in silicon
- Au sputtering in the RIE system
- AlCu/TiW interconnect RIE
- Poly-Si RIE
III-V semiconductors
- Mesa etch process for GaAs
- Mesa etch process for AlGaAs
- Selective etch process for GaAs/AlGaAs
- Etch process for GaAs/AlGaAs VCSEL
- Highly anisotropic etch process for InP (CH4 chemistry)
- RIE process for GaN
- High rate etch prozess for GaAs/AlGaAs VCSEL
- GaAs via holes
Silicon micromachining
- ICP cryo etch process
- Deep anisotropic etching in silicon
- Deep anisotropic trench etching
- Anisotropic etching in photoresist
- Anisotropic silicon etching in microfluidics
- Photoresist DESIRE process
Miscellaneous
- Silicon carbide - RIE etch
- Silicon carbide - ICP etch
- Deep anisotropic etching in silica
- Cr-mask RIE etching
- Submicron etche - RIE
Deposition
- Low stress PECVD-SixNy:H
- High quality ICPECVD-SixNy:H deposited at 80oC-130oC
- High quality ICPECVD-SixNy:H deposited at 80oC-130oC for lift-off processes
- SiN passivation
- SiON - ICPECVD
- SiO2 - ICPECVD
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